تحقیق آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور

نیمه هادی ها و ساختمان داخلی آنها نیمه هادی ها عناصری هستند که از لحاظ هدایت، ما بین هادی و عایق قرار دارند، و مدار آخر نیمه هادیها، دارای 4 الکترون می باشد. ژرمانیم و سیلیکون دو عنصری هستند که خاصیت نیمه هادی ها را دارا می باشند و به دلیل داشتن شرایط فیزیکی خوب، برای ساخت نیمه هادی دیود ترانزیس…

فرمت فایل دانلودی: rar

فرمت فایل اصلی: doc

تعداد صفحات: 34

حجم فایل: 28 کیلوبایت

قیمت: 9500 تومان

نیمه هادی ها و ساختمان داخلی آنها

نیمه هادی ها عناصری هستند که از لحاظ هدایت، ما بین هادی و عایق قرار دارند، و مدار آخر نیمه هادیها، دارای 4 الکترون می باشد.

ژرمانیم و سیلیکون دو عنصری هستند که خاصیت نیمه هادی ها را دارا می باشند و به دلیل داشتن شرایط فیزیکی خوب، برای ساخت نیمه هادی دیود ترانزیستور، آی سی (IC) و… مورد استفاده قرار می گیرد.

ژرمانیم دارای عدد اتمی 32 می باشد.

این نیمه هادی، در سال 1886 توسط ونیکلر کشف شد.

این نیمه هادی، در سال 1810توسط گیلوساک و تنارد کشف شد. اتمهای نیمه هادی ژرمانیم و سیلیسیم به صورت یک بلور سه بعدی است که با قرار گرفتن بلورها در کنار یکدیگر، شبکه کریستالی آنها پدید می آید.

اتم های ژرمانیم و سیلیسیم به دلیل نداشتن چهار الکترون در مدار خارجی خود تمایل به دریافت الکترون دارد تا مدار خود را کامل نماید. لذا بین اتم های نیمه هادی فوق، پیوند اشتراکی برقرار می شود.

بر اثر انرژی گرمائی محیط اطراف نیمه هادی، پیوند اشتراکی شکسته شده و الکترون آزاد می گردد. الکترون فوق و دیگر الکترون هائی که بر اثر انرژی گرمایی بوجود می آید در نیمه هادی وجود دارد و این الکترون ها به هیچ اتمی وابسته نیست.

د ر مقابل حرکت الکترون ها، حرکت دیگری به نام جریان در حفره ها که دارای بار مثبت می باشند، وجود دارد. این حفره ها، بر اثر از دست دادن الکترون در پیوند بوجود می آید.

بر اثر شکسته شدن پیوندها و بو جود آمدن الکترون های آزاد و حفره ها، در نیمه هادی دو جریان بوجود می آید. جریان اول حرکت الکترون که بر اثر جذب الکترون ها به سمت حفره ها به سمت الکترون ها بوجود خواهد آمد و جریان دوم حرکت حفره هاست که بر اثر جذب حفره ها به سمت الکترون ها بوجود می آید. در یک کریستال نیمه هادی، تعداد الکترونها و حفره ها با هم برابرند ولی حرکت الکترون ها و حفره ها عکس یکدیگر می باشند.

1. نیمه هادی نوع N وP

از آنجایی که تعداد الکترونها و حفره های موجود در کریستال ژرمانیم و سیلیسیم در دمای محیط کم است و جریان انتقالی کم می باشد، لذا به عناصر فوق ناخالصی اضافه می کنند.

هرگاه به عناصر نیمه هادی، یک عنصر 5 ظرفیتی مانند آرسنیک یا آنتیوان تزریق شود، چهار الکترون مدار آخر آرسنیک با چهار اتم مجاور سیلسیم یا ژرمانیم تشکیل پیوند اشتراکی داده و الکترون پنجم آن، به صورت آزاد باقی می ماند.

بنابرین هر اتم آرسنیک، یک الکترون اضافی تولید می کند، بدون اینکه حفره ای ایجاد شده باشد. نیمه هادی هایی که ناخالصی آن از اتم های پنج ظرفیتی باشد، نیمه هادی نوع N نام دارد.

عبارات و واژگان کلیدی:

  • تحقیق برق
  • دانلود تحقیق
  • کار تحقیقی برق
  • نیمه هادیها
  • دیود
  • ترانزیستور
  • تحقیق آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور
  • ساختمان نیمه هادیها
  • عملکرد نیمه هادیها
  • ساختمان دیود
  • ساختمان ترانزیستور
  • عملکرد دیود
  • عملکرد ترانزیستور
  • انواع دیو

کلیک برای خرید