تحقیق ترانزیستور اثر میدانی FET

فصل اول مشخصات JFET 11 مقدمه ترانزیستور اثر میدانی (یا به اختصار FET) قطعه ای سه پایانه است که در موارد بسیاری بکار می رود و در مقیاس وسیعی با ترانزیستور BJT رقابت می کند. اگرچه اختلافات مهمی بین این دو نوع قطعه وجود دارد اما تشابه بسیاری نیز بین آنها وجود دارد که در بخشهای بعد به آن اشاره خواهد شد…

فرمت فایل دانلودی: rar

فرمت فایل اصلی: doc

تعداد صفحات: 85

حجم فایل: 1,224 کیلوبایت

قیمت: 19000 تومان

فصل اول

مشخصات JFET

11 مقدمه

ترانزیستور اثر میدانی (یا به اختصار FET) قطعه ای سه پایانه است که در موارد بسیاری بکار می رود و در مقیاس وسیعی با ترانزیستور BJT رقابت می کند. اگرچه اختلافات مهمی بین این دو نوع قطعه وجود دارد اما تشابه بسیاری نیز بین آنها وجود دارد که در بخشهای بعد به آن اشاره خواهد شد.

اختلاف نخست بین او دو نوع ترانزیستور در آن است که ترانزیستور BJT همانگونه که در شکل (الف 11) نشان داده شد یک قطعه کنترل جریان است، در حالیکه ترانزیستور JFET همانگونه که در شکل (ب 11) دیده می شود یک قطعه کنترل ولتاژ است. به بیان دیگر، جریان IC در شکل (الف 11) تابع مستقیم مقدار IB است. در FET جریان I تابعی از ولتاژ VGS است که مطابق شکل (ب 11) به ورودی مدار اعمال می شود. در هر حالت جریان مدار خروجی با یک پارامتر ورودی کنترل می شود. در یک حالت بوسیله جریان و در دیگری بوسیله ولتاژ اعمال شده.

درست مانند ترانزیستورهای npn و pnp قطبی، ترانزیستورهای اثر میدانی نیز از دو نوع کانال n و کانال p هستند. از اینرو، مهم است به خاطر داشته باشید که ترانزیستور BJT یک قطعه دو قطبی (bipolar) است. یعنی میزان هدایت در آن تابع دو نوع حامل است: الکترونها و حفره ها. FET قطعه ای تک قطبی است که فقط به هدایت اکلترون در (کانال n) و یا حفره (کانال p) وابسته است.

عبارت «اثر میدانی در نام این ترانزیستور با خود توضیحاتی را بهمراه دارد. ما همه با توانایی یک مغناطیس دائمی آشنا هستیم که براده های فلزی را بدون تماس واقعی به سوی خود می کشد. میدان مغناطیسی یک مغناطیس دائمی براده های آهن را در امتداد خطوط شار مغناطیسی جذب می کند. در FET، بوسیله بارهای آن میدان الکتریکی بوجود می آید که مسیر هدایت جریان خروجی را کنترل می کند بدون تماس مستقیم بین کنترل کننده و کمیتهای کنترل شونده.

این تمایل طبیعی است که دومین قطعه را با تعدادی از کاربردهای مشابه قطعه اول معرفی کرده و برخی مشخصه های آن را با هم مقایسه کنیم. یکی از مهمترین شاخصه ای FET، امپدانس ورودی زیاد آن است. مقاومت ورودی آن در اندازه های 1 تا چند صد مگااهم از مقاومت ورودی ترانزیستور BJT بیشتر می شود. و این شاخصه ای است که در طراحی سیستمهای تقویت ac خطی بسیار مهم است. به به عبارت دیگر، با ولتاژ اعمال شده یکسان تغییر در جریان خروجی معمولاً برای BJT بیشتر از FETها است. به همین دلیل، معمولاً بهره ولتاژ ac تقویت کننده های BJT خیلی بیشتر از FETهاست. بطور کلی، FETها در مقابل حرارت با ثبات تر از BJTها هستند. FETها معمولاً از نظر ساختمان از BJTها کوچکترند و این امر بطور ویژه کاربردشان را در تراشه های مدار مجتمع (آی سی) کارآمد می سازد. مشخصه های ساختمان برخی FETها در بکارگیری آنها بسیار موثر است.

عبارات و واژگان کلیدی:

  • تحقیق برق و الکترونیک
  • دانلود تحقیق
  • کار تحقیقی الکترونیک
  • ترانزیستور
  • مسفت
  • اثر میدانی
  • ترانزیستور اثر میدانی
  • FET
  • JFET
  • MOSFET

کلیک برای خرید